当前所在位置:首页 > 科技热点

英飞凌与威迈斯加强合作,为电动汽车提供节能经济的快速充电服务

2024-03-04 【 字体:

英飞凌科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装,将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管相结合,在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量,该功率半导体器件与威迈斯的车载充电器实现了高度适配。


CoolSiC™混合分立器件

威迈斯研发部门产品线总监兼首席工程师徐金柱表示:“我们十分高兴能为我们的下一代OBC选择英飞凌的CoolSiC Hybrid器件,从而实现更高的可靠性、稳定性、性能和功率密度。这深化了我们与英飞凌的合作关系,并通过紧密协作,推动技术应用创新,共同促进新能源汽车的蓬勃发展。”

英飞凌科技汽车高压芯片与分立器件产品线副总裁Robert Hermann表示:“我们很高兴凭借高效的混合产品加强与VMAX的合作。我们将一起继续推动电动汽车的发展,以高效率的解决方案满足业界对性能、质量和系统成本的要求。”

这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装,在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外,坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力,最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth),使芯片尺寸变得更小,从而提高了功率开关能力。凭借这些特性,该产品实现了更出色的系统可靠性和使用寿命,满足了汽车行业的严格要求。为了最大程度地提升与现有设计的兼容性,该产品还采用了基于广泛使用的D²PAK封装的引脚对引脚兼容设计。

供货情况

采用TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和CoolSiC™ 肖特基二极管G5共同封装的 CoolSiC™混合分立器件现已上市。更多信息,敬请访问www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/coolsic-hybrid-devices/hybrid-discretes/aikbe50n65rf5。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
更多信息,请访问www.infineon.com
更多新闻,请登录英飞凌新闻中心:https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/market-news/  

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

(来源:中电网)
The End
免责声明:本文内容来源于第三方或整理自互联网,本站仅提供展示,不拥有所有权,不代表本站观点立场,也不构成任何其他建议,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容,不承担相关法律责任。如发现本站文章、图片等内容有涉及版权/违法违规或其他不适合的内容, 请及时联系我们进行处理。
阅读全文
相关推荐

Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率

Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
“Nexperia(安世半导体)近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC,可用于驱...

英飞凌携手马瑞利采用AURIX TC4x MCU系列推动区域控制单元创新

英飞凌携手马瑞利采用AURIX TC4x MCU系列推动区域控制单元创新
“全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX ...

Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能

Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
“日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYS...

Bourns推出具有低 DCR 的薄型屏蔽功率电感器

Bourns推出具有低 DCR 的薄型屏蔽功率电感器
“Bourns® SRP-F 系列具有低 DCR,尺寸小、薄型 (0.7 至 1...

长光辰芯发布高速背照式全局快门CMOS图像传感器――GSPRINT5514BSI

长光辰芯发布高速背照式全局快门CMOS图像传感器――GSPRINT5514BSI
“长光辰芯发布高速背照式全局快门CMOS图像传感器-GSPRINT5514BSI...

电感器: TDK 进一步扩展用于汽车同轴电缆供电电路的积层电感器产品

电感器: TDK 进一步扩展用于汽车同轴电缆供电电路的积层电感器产品
“TDK株式会社宣布进一步扩大其用于汽车同轴电缆供电(PoC)电路的 MLJ10...

瑞萨率先推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM 完整内存接口芯片组解决方案

瑞萨率先推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM 完整内存接口芯片组解决方案
“全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布率先推出面向第二代...

ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC系列第2代音频DAC芯片

ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC系列第2代音频DAC芯片
“全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款属于适合播放高分辨...

圣邦微电子推出 70V 高共模电压、高压侧电流检测放大器 SGM8196

圣邦微电子推出 70V 高共模电压、高压侧电流检测放大器 SGM8196
“圣邦微电子推出 SGM8196,一款支持 70V 输入共模电压、高压侧电流检测...

Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET,提供更高效率和可靠性

Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET,提供更高效率和可靠性
“Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致...