“全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。

采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的V_F和I_R相比以往产品得到显著改善

非常适用于汽车LED前照灯等高速开关应用

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*¹超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。

二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其V_F低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品，其trr比平面结构的要差，因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题，ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的V_F和I_R、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。

“YQ系列”是继以往支持各种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品，也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构设计，实现了业界超快的trr（15ns），与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比，trr单项的损耗降低约37%，总开关损耗降低约26%，因此，有助于降低应用产品的功耗。另外，通过采用沟槽MOS结构，与以往采用平面结构的SBD相比，正向施加时的损耗V_F*²和反向施加时的损耗I_R*³均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗，还可以降低对于SBD而言最令人担心的热失控风险*⁴。这些优势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。

新产品从2023年12月起全部投入量产（样品价格：300日元～/个，不含税），样品可通过Ameya360、Sekorm、Right IC等网售平台购买。今后，ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强别具特色的产品阵容，为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。

＜关于SBD的沟槽MOS结构＞

沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽（沟槽MOS）并用多晶硅填充的结构，这种结构可以缓和电场集中，从而可以降低外延层的电阻率，在正向施加时V_F更低。另外，当反向施加时，可以缓和电场集中现象，从而实现更低的I_R。前述的“YQ系列”通过采用这种沟槽MOS结构，与以往产品相比，V_F改善了约7%，I_R改善了约82%。另一方面，在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了V_F和I_R，而且还利用ROHM自有的结构设计，实现了约15ns的业界超快trr。由于可将开关时的损耗降低约26%，因此非常有助于降低应用产品的功耗。

＜应用示例＞

・汽车LED前照灯   ・xEV用DC-DC转换器   ・工业设备电源    ・照明

＜产品阵容表＞

＜支持页面和资源信息＞

ROHM的官网提供可以了解新产品电路优势的应用指南，以及介绍包括新产品在内的各SBD系列产品特点的白皮书。在SBD产品页面中，可以通过输入耐压条件等参数来缩小产品范围，有助于设计时顺利选择产品。详情请访问以下网址：

■ROHM的SBD产品页面

https://www.rohm.com.cn/products/diodes/schottky-barrier-diodes

■应用指南

《车载用小型高效肖特基势垒二极管“YQ系列”的优势》

https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-c.pdf

■白皮书

有助于车载、工业和消费电子设备小型化并降低损耗的ROHM SBD产品阵容

https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-c.pdf

＜电商销售信息＞

电商平台：Ameya360、Sekorm、Right IC

产品型号：见上表。

新产品在其他电商平台也以开始逐步发售。

＜术语解说＞

*1) 反向恢复时间：trr（Reverse Recovery Time）

开关二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。

*2) 正向电压：V_F（Forward Voltage）

当电流沿从＋到－的方向流动时产生的电压降。该值越低，效率越高。

*3) 反向电流：I_R（Reverse Current）

反向施加电压时产生的反向电流。该值越低，功耗（反向功耗）越小。

*4) 热失控

当向二极管施加反向电压时，内部的芯片发热量超过了封装的散热量，导致I_R值增加，最终造成损坏的现象称为“热失控”。I_R值高的SBD尤其容易发生热失控，因此在设计电路时需要格外注意。

【关于罗姆（ROHM）】

罗姆（ROHM）成立于1958年，由起初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

【关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展】

销售网点：起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州）。并且，正在逐步扩大分销网络。

技术中心：在上海和深圳设有技术中心和QA中心，在北京设有华北技术中心，提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。